MP4N150 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MP4N150

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 51 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 104 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7.5 Ohm

Encapsulados: TO3P

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MP4N150 datasheet

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MP4N150

N N-CHANNEL MOSFET R MP4N150 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4 A VDSS 1500 V Rdson-max 7.5 @Vgs=10V Qg-typ 30.87nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UP

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