MP4N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP4N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для MP4N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP4N150 даташит

 ..1. Size:475K  jilin sino
 mp4n150.pdf pdf_icon

MP4N150

N N-CHANNEL MOSFET R MP4N150 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4 A VDSS 1500 V Rdson-max 7.5 @Vgs=10V Qg-typ 30.87nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UP

Другие IGBT... MP15N60EIB, MP15N60EIC, MP15N60EIF, MP15N60EIS, MP18N50EIC, MP18N50EIF, MP20N60EI, MP2N60ER, IRF530, MP4N50FR, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, MP88N25C, MP9N150