Справочник MOSFET. MP4N150

 

MP4N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP4N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 104 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7.5 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
 

 Аналог (замена) для MP4N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP4N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:475K  jilin sino
 mp4n150.pdf pdf_icon

MP4N150

N N-CHANNEL MOSFET RMP4N150 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4 A VDSS 1500 V Rdson-max 7.5 @Vgs=10V Qg-typ 30.87nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies UPS Electronic lamp ballasts based on half bridge UP

Другие MOSFET... MP15N60EIB , MP15N60EIC , MP15N60EIF , MP15N60EIS , MP18N50EIC , MP18N50EIF , MP20N60EI , MP2N60ER , AO4407 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER , MP7AN65EV , MP88N25C , MP9N150 .

History: FDFME2P823ZT | NCE60H15AD | MP15N60EIC | IXTQ26N50P | OSG70R1KPF | CS7N70F

 

 
Back to Top

 


 
.