MP88N25C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MP88N25C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 560 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 88 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 99.36 nC
   Tiempo de subida (tr): 123.8 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1946 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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MP88N25C Datasheet (PDF)

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mp88n25c.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET MP88N25C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 88 A VDSS 250 V Rdson Vgs=10V 43m -MAX Qg-Typ 99.36 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power sup

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Liste

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