MP88N25C Todos los transistores

 

MP88N25C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MP88N25C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 560 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 88 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 123.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1946 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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MP88N25C Datasheet (PDF)

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MP88N25C

N RN-CHANNEL MOSFET MP88N25C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 88 A VDSS 250 V Rdson Vgs=10V 43m -MAX Qg-Typ 99.36 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power sup

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History: AOD424 | APT50M80JLC | CS10N65A8R

 

 
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