MP88N25C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP88N25C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 88 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 123.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1946 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MP88N25C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP88N25C даташит

 ..1. Size:953K  jilin sino
 mp88n25c.pdf pdf_icon

MP88N25C

N R N-CHANNEL MOSFET MP88N25C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 88 A VDSS 250 V Rdson Vgs=10V 43m -MAX Qg-Typ 99.36 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode . power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge UPS power sup

Другие IGBT... MP2N60ER, MP4N150, MP4N50FR, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, AO4407, MP9N150, MS65R120C, MS65R120F, MS65R120GE, MS65R120S, MS65R135R, MS65R170B, MS65R170C