MP9N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MP9N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 370 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 9 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
   Carga de la puerta (Qg): 87.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 61 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 298 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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MP9N150 Datasheet (PDF)

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mp9n150.pdf

N N- CHANNEL MOSFET RMP9N150 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 1500 V Rdson-max 2.50 Qg-typ 87.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

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Liste

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