Справочник MOSFET. MP9N150

 

MP9N150 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MP9N150
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для MP9N150

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP9N150 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:931K  jilin sino
 mp9n150.pdf pdf_icon

MP9N150

N N- CHANNEL MOSFET RMP9N150 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 9 A VDSS 1500 V Rdson-max 2.50 Qg-typ 87.9 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies - Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS

Другие MOSFET... MP4N150 , MP4N50FR , MP4N60ER , MP7AN65EC , MP7AN65EF , MP7AN65ER , MP7AN65EV , MP88N25C , 18N50 , MS65R120C , MS65R120F , MS65R120GE , MS65R120S , MS65R135R , MS65R170B , MS65R170C , MS65R170F .

History: SQ4936EY | NCE60NF730D | FDZ294N | BUK127-50DL | NCE60N370K | IRLR8103 | AOTF13N50

 

 
Back to Top

 


 
.