MP9N150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MP9N150

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 61 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 298 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для MP9N150

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MP9N150 даташит

 ..1. Size:931K  jilin sino
 mp9n150.pdf pdf_icon

MP9N150

Другие IGBT... MP4N150, MP4N50FR, MP4N60ER, MP7AN65EC, MP7AN65EF, MP7AN65ER, MP7AN65EV, MP88N25C, BS170, MS65R120C, MS65R120F, MS65R120GE, MS65R120S, MS65R135R, MS65R170B, MS65R170C, MS65R170F