MS65R360F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MS65R360F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

 Búsqueda de reemplazo de MS65R360F MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MS65R360F datasheet

 ..1. Size:1088K  jilin sino
ms65r360f ms65r360r ms65r360c.pdf pdf_icon

MS65R360F

 9.1. Size:863K  jilin sino
ms65r600f ms65r600r.pdf pdf_icon

MS65R360F

 9.2. Size:994K  jilin sino
ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf pdf_icon

MS65R360F

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Otros transistores... MS65R170B, MS65R170C, MS65R170F, MS65R170GE, MS65R170S, MS65R190RF1, MS65R190RGE, MS65R360C, STF13NM60N, MS65R360R, MS65R400RF, MS65R400RR, MS65R600F, MS65R600R, MS65R620RF, MS65R620RR, MT03N03FAL