Справочник MOSFET. MS65R360F

 

MS65R360F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MS65R360F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 40 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для MS65R360F

 

 

MS65R360F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  jilin sino
 ms65r360f ms65r360r ms65r360c.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R360 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 11A VDSS 650 V Rdson-max 0.40 @Vgs=10V Qg-typ 22 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.1. Size:863K  jilin sino
 ms65r600f ms65r600r.pdf

MS65R360F MS65R360F

N R N-CHANNEL MOSFET MS65R600 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 600m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.2. Size:994K  jilin sino
 ms65r120f ms65r120ge ms65r120c ms65r120s.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R120 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.120 @Vgs=10V Qg-typ 58.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.3. Size:1099K  jilin sino
 ms65r170f ms65r170c ms65r170b ms65r170s ms65r170ge.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R170 Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.180 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.4. Size:973K  jilin sino
 ms65r190rf1 ms65r190rge.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R190R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 20A VDSS 650 V Rdson-max 0.190 @Vgs=10V Qg-typ 44.4 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.5. Size:913K  jilin sino
 ms65r400rf ms65r400rr.pdf

MS65R360F MS65R360F

N N-CHANNEL MOSFET RMS65R400R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 11A VDSS 650 V Rdson-max 0.45 @Vgs=10V Qg-typ 22 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.6. Size:887K  jilin sino
 ms65r620rf ms65r620rr.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R620R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 7A VDSS 650 V Rdson-max 620m (@Vgs=10V Qg-typ 14.6 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

 9.7. Size:837K  jilin sino
 ms65r135r.pdf

MS65R360F MS65R360F

N RN-CHANNEL MOSFET MS65R135R Package MAIN CHARACTERISTICS ID 30A VDSS 650 V Rdson-max 0.135 @Vgs=10V Qg-typ 60.2 nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top