A2N7002K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: A2N7002K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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A2N7002K datasheet

 ..1. Size:356K  ncepower
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A2N7002K

http //www.ncepower.com A2N7002K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V = 60V,I = 0.3A DS D R

 0.1. Size:305K  jiejie micro
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A2N7002K

JMTLA2N7002KS Description JMT N-channel MOSFET Features Application V =60V, I =0.2A Battery Operated Systems DS D R

 7.1. Size:546K  ait semi
 ama2n7002.pdf pdf_icon

A2N7002K

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

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A2N7002K

APA2N70K RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600V D Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10 S Simple Drive Requirement ID 0.35A D G SOT-223 D Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best G combination of fast switching,low on-resistance and cost

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