A2N7002K Todos los transistores

 

A2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: A2N7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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A2N7002K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  ncepower
 a2n7002k.pdf pdf_icon

A2N7002K

http://www.ncepower.comA2N7002KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I = 0.3ADS DR

 7.1. Size:546K  ait semi
 ama2n7002.pdf pdf_icon

A2N7002K

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected: 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

 9.1. Size:68K  ape
 apa2n70k.pdf pdf_icon

A2N7002K

APA2N70KRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10S Simple Drive Requirement ID 0.35ADGSOT-223DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,low on-resistance and cost

Otros transistores... MT06N020A , MT06N020AL , MT20N024A , MT28N20A , MT40N20A , MT6JN008A , MT6JN009A , 2SK2049 , MMD60R360PRH , BSS123K , NCE0102A , NCE0102B , NCE0102E , NCE0102M , NCE0102Z , NCE0103 , NCE0104AN .

History: CJQ9435 | FC6B22220L

 

 
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