A2N7002K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: A2N7002K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 11 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23

Búsqueda de reemplazo de MOSFET A2N7002K

A2N7002K Datasheet (PDF)

..1. Size:356K ncepower
a2n7002k.pdf

http://www.ncepower.comA2N7002KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I = 0.3ADS DR

7.1. Size:546K ait semi
ama2n7002.pdf

AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected: 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin

9.1. Size:68K ape
apa2n70k.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: