A2N7002K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: A2N7002K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.9 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.7 nC
Время нарастания (tr): 50 ns
Выходная емкость (Cd): 11 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.2 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
A2N7002K Datasheet (PDF)
a2n7002k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
http://www.ncepower.comA2N7002KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I = 0.3ADS DR
ama2n7002.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
AMA2N7002 AiT Semiconductor Inc. www.ait-ic.com MOSFET 30V, 154mA, SINGLE, N-CHANNEL, GATE ESD PROTECTION DESCRIPTION FEATURES The AMA2N7002 is available in SC-89 package. Low Gate Charge for Fast Switching Small 1.6 X 1.6 mm Footprint ESD Protected Gate ORDERING INFORMATION ESD Protected: 2000V S- Prefix for Automotive and Other Applications Requirin
apa2n70k.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
APA2N70KRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Avalanche Test BVDSS 600VD Fast Switching Characteristic RDS(ON) 10S Simple Drive Requirement ID 0.35ADGSOT-223DDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the bestGcombination of fast switching,low on-resistance and cost
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: TSM2328CX