NCE035P40GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCE035P40GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 120 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 130 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 158 nC
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 705 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6

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NCE035P40GU Datasheet (PDF)

..1. Size:639K ncepower
nce035p40gu.pdf

http://www.ncepower.comNCE035P40GUNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescription General FeaturesThe NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130ADS Ddesign to provide excellent R with low gate charge. It R

8.1. Size:754K ncepower
nce035n30k.pdf

NCE035N30Khttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE035N30K uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =5.2 m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS

8.2. Size:751K ncepower
nce035n30g.pdf

NCE035N30Ghttp://www.ncepower.comNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE025N30G uses advanced trench technology andGeneral Featuresdesign to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =100ADS(ON) DS Dbe used in a wide variety of applications. R =3.0m (typical) @ V =10VDS(ON) GSR =5.2m (typical) @ V =4.5VApplication DS(ON) GS

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History: KCY3104S | HGN059N08AL

Liste

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