NCE035P40GU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE035P40GU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 130 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 705 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: DFN5X6

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NCE035P40GU datasheet

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NCE035P40GU

http //www.ncepower.com NCE035P40GU NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It R

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NCE035P40GU

NCE035N30K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE035N30K uses advanced trench technology and General Features design to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105A DS(ON) DS D be used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =5.2 m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS

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NCE035P40GU

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