NCE035P40GU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE035P40GU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 130 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 705 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для NCE035P40GU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE035P40GU даташит

 ..1. Size:639K  ncepower
 nce035p40gu.pdf pdf_icon

NCE035P40GU

http //www.ncepower.com NCE035P40GU NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description General Features The NCE035P40GU uses advanced trench technology and V =-40V,I =-130A DS D design to provide excellent R with low gate charge. It R

 8.1. Size:754K  ncepower
 nce035n30k.pdf pdf_icon

NCE035P40GU

NCE035N30K http //www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE035N30K uses advanced trench technology and General Features design to provide excellent R with low gate charge. It can V =30V,I =105A DS(ON) DS D be used in a wide variety of applications. R =3.0 m (typical) @ V =10V DS(ON) GS R =5.2 m (typical) @ V =4.5V Application DS(ON) GS

 8.2. Size:751K  ncepower
 nce035n30g.pdf pdf_icon

NCE035P40GU

Другие IGBT... NCE0224F, NCE0250D, NCE0260P, NCE0260T, NCE0270T, NCE0275, NCE0275D, NCE02P20K, 5N65, NCE1012E, NCE1013E, NCE1102N, NCE1205, NCE1490, NCE14P40K, NCE1504R, NCE1505S