NCE1102N Todos los transistores

 

NCE1102N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCE1102N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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NCE1102N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ncepower
 nce1102n.pdf pdf_icon

NCE1102N

http://www.ncepower.com NCE1102NNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE1102N uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 110V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... NCE0260T , NCE0270T , NCE0275 , NCE0275D , NCE02P20K , NCE035P40GU , NCE1012E , NCE1013E , IRLZ44N , NCE1205 , NCE1490 , NCE14P40K , NCE1504R , NCE1505S , NCE1507AK , NCE1512IA , NCE1520 .

History: KF3N50DZ | CEB03N8 | SSG4801

 

 
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