NCE1102N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE1102N

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 110 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

 Búsqueda de reemplazo de NCE1102N MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

NCE1102N datasheet

 ..1. Size:301K  ncepower
 nce1102n.pdf pdf_icon

NCE1102N

http //www.ncepower.com NCE1102N NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE1102N uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 110V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... NCE0260T, NCE0270T, NCE0275, NCE0275D, NCE02P20K, NCE035P40GU, NCE1012E, NCE1013E, AON6380, NCE1205, NCE1490, NCE14P40K, NCE1504R, NCE1505S, NCE1507AK, NCE1512IA, NCE1520