NCE1102N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCE1102N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

Аналог (замена) для NCE1102N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1102N даташит

 ..1. Size:301K  ncepower
 nce1102n.pdf pdf_icon

NCE1102N

http //www.ncepower.com NCE1102N NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE1102N uses advanced trench technology and G design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 110V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие IGBT... NCE0260T, NCE0270T, NCE0275, NCE0275D, NCE02P20K, NCE035P40GU, NCE1012E, NCE1013E, AON6380, NCE1205, NCE1490, NCE14P40K, NCE1504R, NCE1505S, NCE1507AK, NCE1512IA, NCE1520