Справочник MOSFET. NCE1102N

 

NCE1102N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1102N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для NCE1102N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1102N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ncepower
 nce1102n.pdf pdf_icon

NCE1102N

http://www.ncepower.com NCE1102NNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE1102N uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 110V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... NCE0260T , NCE0270T , NCE0275 , NCE0275D , NCE02P20K , NCE035P40GU , NCE1012E , NCE1013E , IRLZ44N , NCE1205 , NCE1490 , NCE14P40K , NCE1504R , NCE1505S , NCE1507AK , NCE1512IA , NCE1520 .

History: R6015KNZ | IXTQ120N15P | WMB26DN06TS | SSM6N57NU | CEB03N8 | SSG4801

 

 
Back to Top

 


 
.