Справочник MOSFET. NCE1102N

 

NCE1102N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE1102N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE1102N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  ncepower
 nce1102n.pdf pdf_icon

NCE1102N

http://www.ncepower.com NCE1102NNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The NCE1102N uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 110V,ID = 2A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: NCE60NF420F | 2SK2511 | CHM65A3PAGP | WMB115N15HG4 | IRFSL4410Z | MTDK3S6R | SSM3K15AMFV

 

 
Back to Top

 


 
.