NCE3085K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE3085K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0091 Ohm

Encapsulados: TO252

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NCE3085K datasheet

 ..1. Size:674K  ncepower
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NCE3085K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3085K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3085K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =30V,I =85A DS D R =4.2 m @ V =10V (Typ) Schematic diagram DS(ON) GS R =7.0m @ V =4.5V (Typ)

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NCE3085K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.2. Size:312K  ncepower
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NCE3085K

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCE3080I NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.3. Size:321K  ncepower
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NCE3085K

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