NCE3085K - аналоги и даташиты транзистора

 

NCE3085K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCE3085K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCE3085K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3085K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  ncepower
 nce3085k.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3085KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3085K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =85ADS DR =4.2 m @ V =10V (Typ) Schematic diagramDS(ON) GSR =7.0m @ V =4.5V (Typ)

 8.1. Size:384K  ncepower
 nce3080k.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.2. Size:312K  ncepower
 nce3080i.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.3. Size:321K  ncepower
 nce3080l.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080LNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NCE3045G , NCE3050I , NCE3050KA , NCE3055 , NCE3065G , NCE3065Q , NCE3080I , NCE3080L , IRF9540 , NCE30H10BG , NCE30H10G , NCE30H11BG , NCE30H11G , NCE30H12AK , NCE30H15B , NCE30H15BG , NCE30H15BK .

 

 
Back to Top

 


 
.