Справочник MOSFET. NCE3085K

 

NCE3085K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCE3085K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 31.3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 220 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0091 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE3085K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:674K  ncepower
 nce3085k.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.comNCE3085KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCE3085K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =30V,I =85ADS DR =4.2 m @ V =10V (Typ) Schematic diagramDS(ON) GSR =7.0m @ V =4.5V (Typ)

 8.1. Size:384K  ncepower
 nce3080k.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080KNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.2. Size:312K  ncepower
 nce3080i.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080INCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

 8.3. Size:321K  ncepower
 nce3080l.pdf pdf_icon

NCE3085K

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCE3080LNCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE3080L uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =30V,ID =80A RDS(ON)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: S10H16RP

 

 
Back to Top

 


 
.