FQA27N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA27N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 210 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 27 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 50 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.11 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQA27N25
FQA27N25 Datasheet (PDF)
fqa27n25.pdf
May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 27A, 250V, RDS(on) = 0.11 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been esp
fqa27n25.pdf
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