Справочник MOSFET. FQA27N25

 

FQA27N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA27N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA27N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  fairchild semi
fqa27n25.pdfpdf_icon

FQA27N25

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 27A, 250V, RDS(on) = 0.11 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF)This advanced technology has been esp

 ..2. Size:2353K  onsemi
fqa27n25.pdfpdf_icon

FQA27N25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... FQA140N10 , SDF07N65 , FQA160N08 , FQA170N06 , FQA19N60 , SDF07N50T , FQA24N60 , SDF07N50 , P0903BDG , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.