FQA27N25 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: FQA27N25  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 210 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для FQA27N25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA27N25 даташит

 ..1. Size:813K  fairchild semi
 fqa27n25.pdf pdf_icon

FQA27N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 27A, 250V, RDS(on) = 0.11 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 50 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 45 pF) This advanced technology has been esp

 ..2. Size:2353K  onsemi
 fqa27n25.pdf pdf_icon

FQA27N25

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие IGBT... FQA140N10, SDF07N65, FQA160N08, FQA170N06, FQA19N60, SDF07N50T, FQA24N60, SDF07N50, 5N60, FQA28N15, FQA30N40, SDF06N60, FQA32N20C, SDF05N50, FQA36P15, FQA40N25, FQA44N30