FQA30N40 Todos los transistores

 

FQA30N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA30N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 290 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 90 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FQA30N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  fairchild semi
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FQA30N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 30A, 400V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been

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