FQA30N40 - описание и поиск аналогов

 

FQA30N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA30N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA30N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA30N40 даташит

 ..1. Size:779K  fairchild semi
 fqa30n40.pdf pdf_icon

FQA30N40

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 400V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 30A, 400V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF) This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQA160N08 , FQA170N06 , FQA19N60 , SDF07N50T , FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , 4N60 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 .

History: WMS11P02TS | CRTT029N06N | MS8N60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.