Справочник MOSFET. FQA30N40

 

FQA30N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA30N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 290 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 90 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FQA30N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA30N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:779K  fairchild semi
 fqa30n40.pdf pdf_icon

FQA30N40

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 400V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 30A, 400V, RDS(on) = 0.14 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 90 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 60 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQA160N08 , FQA170N06 , FQA19N60 , SDF07N50T , FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , 10N65 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 .

History: PHP33N10 | HFA20N50U | FDS6574A | FDT86113LZ | 2SK4085LS

 

 
Back to Top

 


 
.