NCE4435X MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NCE4435X MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCE4435X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 186 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOP8

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NCE4435X datasheet

..1. Size:272K ncepower
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7.1. Size:345K ncepower
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Pb Free Product NCE4435 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE4435 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

7.2. Size:709K ncepower
nce4435b.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCE4435B NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4435B uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V = -30V,I = -12A Schematic diagram DS D R

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