NCE4435X datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NCE4435X  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 186 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SOP8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NCE4435X

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCE4435X даташит

 ..1. Size:272K  ncepower
 nce4435x.pdf pdf_icon

NCE4435X

 7.1. Size:345K  ncepower
 nce4435.pdf pdf_icon

NCE4435X

Pb Free Product NCE4435 NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET D Description The NCE4435 uses advanced trench technology to provide G excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 4.5V. S General Features Schematic diagram VDS = -30V,ID = -9.1A RDS(ON)

 7.2. Size:709K  ncepower
 nce4435b.pdf pdf_icon

NCE4435X

http //www.ncepower.com NCE4435B NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE4435B uses advanced trench technology to provide excellent R , low gate charge and operation with gate DS(ON) voltages as low as 4.5V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features V = -30V,I = -12A Schematic diagram DS D R

Другие IGBT... NCE40P06S, NCE40P15Q, NCE40P20Q, NCE40P20Q1, NCE40P25G, NCE40P30K, NCE40P40D, NCE4435B, IRF840, NCE4525, NCE4528K, NCE4555K, NCE4558K, NCE4606B, NCE5015S, NCE5020Q, NCE5055K