FQA36P15 Todos los transistores

 

FQA36P15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA36P15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 294 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 36 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 81 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FQA36P15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:868K  fairchild semi
 fqa36p15 fqa36p15 f109.pdf pdf_icon

FQA36P15

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe

 ..2. Size:856K  fairchild semi
 fqa36p15 f109.pdf pdf_icon

FQA36P15

September 2010 QFETFQA36P15 / FQA36P15_F109150V P-Channel MOSFETFeatures Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09 @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planarstripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF)This advanced technology has been espe

 ..3. Size:305K  inchange semiconductor
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FQA36P15

isc P-Channel MOSFET Transistor FQA36P15FEATURESDrain Current : I = -36A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = -150V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 90m(Max) @V = -10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

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