FQA36P15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA36P15
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
FQA36P15 Datasheet (PDF)
1.1. fqa36p15 fqa36p15 f109.pdf 
Size:868K _fairchild_semi
September 2010 QFET FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET Features Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09? @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF) This advanced technology has been especially tailore
Другие MOSFET... FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , IRFP250N , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: IRFR13N20DPBF | IRFR13N15DPBF | IRFR130ATM | IRFR12N25DPBF | IRFR120ZPBF | IRFR120PBF | IRFR120NPBF | IRFR120ATM | IRFR1205PBF | IRFR110PBF | IRFR1018EPBF | IRFR1010ZPBF | IRFR024PBF | IRFR024NPBF | IRFR020PBF |