Справочник MOSFET. FQA36P15

 

FQA36P15 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA36P15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 294 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 36 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 81 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.09 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA36P15

 

 

FQA36P15 Datasheet (PDF)

1.1. fqa36p15 f109.pdf Size:856K _fairchild_semi

FQA36P15 FQA36P15

September 2010 ® QFET FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET Features Description • -36A, -150V, RDS(on) = 0.09Ω @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect • Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 110pF) This advanced technology has been espe

1.2. fqa36p15 fqa36p15 f109.pdf Size:868K _fairchild_semi

FQA36P15 FQA36P15

September 2010 QFET FQA36P15 / FQA36P15_F109 150V P-Channel MOSFET Features Description -36A, -150V, RDS(on) = 0.09? @VGS = -10 V These P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 81 nC) transistors are produced using Fairchilds proprietary, planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 110pF) This advanced technology has been especially tailore

 

Другие MOSFET... FQA24N60 , SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , IRFP250N , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 .

Back to Top