FQA40N25 Todos los transistores

 

FQA40N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA40N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FQA40N25 datasheet

 ..1. Size:795K  fairchild semi
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FQA40N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 40A, 250V, RDS(on) = 0.07 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF) This advanced technology has been esp

 ..2. Size:259K  inchange semiconductor
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FQA40N25

isc N-Channel MOSFET Transistor FQA40N25 FEATURES Drain Current I = 40A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V = 250V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 70m (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purpo

Otros transistores... SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , 5N60 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 .

 

 

 

 

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