FQA40N25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQA40N25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 280 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 250 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 5 V
Carga de la puerta (Qg): 85 nC
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3PN
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FQA40N25 Datasheet (PDF)
fqa40n25.pdf
May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 40A, 250V, RDS(on) = 0.07 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been esp
fqa40n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FQA40N25FEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Otros transistores... SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , IRFZ24N , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 .
