FQA40N25 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FQA40N25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
Аналог (замена) для FQA40N25
FQA40N25 Datasheet (PDF)
fqa40n25.pdf
May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 40A, 250V, RDS(on) = 0.07 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 70 pF)This advanced technology has been esp
fqa40n25.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FQA40N25FEATURESDrain Current I = 40A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 250V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 70m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurpo
Другие MOSFET... SDF07N50 , FQA27N25 , FQA28N15 , FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , 5N60 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 .
History: CEP51A3 | AP80N04Q
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
svt20240nt | tip41c replacement | b772m transistor | mj15003g datasheet | irfp460n datasheet | mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet


