FQA55N25 Todos los transistores

 

FQA55N25 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQA55N25

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO3PN

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FQA55N25 datasheet

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FQA55N25

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 250V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 140 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 125 pF) This advanced technology has been e

 8.1. Size:661K  fairchild semi
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FQA55N25

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQA55N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 61A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF) This advanced technology has been

Otros transistores... FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , AO3407 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 .

 

 

 

 

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