Справочник MOSFET. FQA55N25

 

FQA55N25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA55N25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FQA55N25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA55N25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:863K  fairchild semi
 fqa55n25.pdf pdf_icon

FQA55N25

May 2000TMQFETQFETQFETQFET 250V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 250V, RDS(on) = 0.04 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 140 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 125 pF)This advanced technology has been e

 8.1. Size:661K  fairchild semi
 fqa55n10.pdf pdf_icon

FQA55N25

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQA55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 61A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been

Другие MOSFET... FQA30N40 , SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , 7N60 , FQA62N25C , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 .

History: 3SK53 | 2SJ128 | HUF76145P3 | 2SK4099LS | STF06N20 | BF1100WR | FDS8433A

 

 
Back to Top

 


 
.