FQA62N25C Todos los transistores

 

FQA62N25C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA62N25C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 298 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 62 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FQA62N25C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  fairchild semi
 fqa62n25c.pdf pdf_icon

FQA62N25C

QFETFQA62N25C250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 62A, 250V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 63.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

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History: AP75N07AGP | 2SK3688-01S | APT10021JLL | IRLB3813PBF | IXTP24N65X2M | DMN15H310SK3 | SRT12N058HS2

 

 
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