FQA62N25C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA62N25C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 298 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
FQA62N25C Datasheet (PDF)
1.1. fqa62n25c.pdf 
Size:597K _fairchild_semi
QFET FQA62N25C 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 62A, 250V, RDS(on) = 0.035? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 63.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimi
Другие MOSFET... SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , 2SK2545 , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80C_F109 , SDF04N60 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: IRFR13N20DPBF | IRFR13N15DPBF | IRFR130ATM | IRFR12N25DPBF | IRFR120ZPBF | IRFR120PBF | IRFR120NPBF | IRFR120ATM | IRFR1205PBF | IRFR110PBF | IRFR1018EPBF | IRFR1010ZPBF | IRFR024PBF | IRFR024NPBF | IRFR020PBF |