Справочник MOSFET. FQA62N25C

 

FQA62N25C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA62N25C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 298 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 100 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA62N25C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:597K  fairchild semi
 fqa62n25c.pdf pdf_icon

FQA62N25C

QFETFQA62N25C250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 62A, 250V, RDS(on) = 0.035 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 63.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to Fast s

Другие MOSFET... SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , AON6380 , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 , SDF04N60 .

History: STP9N30 | STSJ50NH3LL | STP9N65M2 | FQB22P10TMF085

 

 
Back to Top

 


 
.