Справочник MOSFET. FQA62N25C

 

FQA62N25C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA62N25C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 298 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 62 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 100 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA62N25C

 

 

FQA62N25C Datasheet (PDF)

1.1. fqa62n25c.pdf Size:597K _fairchild_semi

FQA62N25C FQA62N25C

QFET FQA62N25C 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 62A, 250V, RDS(on) = 0.035? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 100 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 63.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimi

Другие MOSFET... SDF06N60 , FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , 2SK2545 , FQA65N20 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80C_F109 , SDF04N60 .

Back to Top