FQA65N20 Todos los transistores

 

FQA65N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA65N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 310 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FQA65N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N20

August 2001TMQFETFQA65N20200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N20

May 2001TMQFETFQA65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Otros transistores... FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , IRF530 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 , SDF04N60 , FQA8N100C .

History: STP36N60M6 | PKCH2BB | SIL2322A | FQU2N50B | CS25N50AKR | APM2314AC | 2SK1021

 

 
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