FQA65N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FQA65N20
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO3PN
FQA65N20 Datasheet (PDF)
1.1. fqa65n20.pdf 
Size:663K _fairchild_semi
August 2001 TM QFET FQA65N20 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast
Другие MOSFET... FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , IRF9640 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80C_F109 , SDF04N60 , FQA8N100C .
