Справочник MOSFET. FQA65N20

 

FQA65N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA65N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA65N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N20

August 2001TMQFETFQA65N20200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N20

May 2001TMQFETFQA65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , K2611 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 , SDF04N60 , FQA8N100C .

History: HY3410MF | HY3208P

 

 
Back to Top

 


 
.