FQA65N20 - описание и поиск аналогов

 

FQA65N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA65N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA65N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA65N20 даташит

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N20

August 2001 TM QFET FQA65N20 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N20

May 2001 TM QFET FQA65N06 60V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , 20N50 , SDF05N40T , FQA6N90CF109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80CF109 , SDF04N60 , FQA8N100C .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.