Справочник MOSFET. FQA65N20

 

FQA65N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA65N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 170 nC
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
 

 Аналог (замена) для FQA65N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA65N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:663K  fairchild semi
 fqa65n20.pdf pdf_icon

FQA65N20

August 2001TMQFETFQA65N20200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF)This advanced technology has been especially tailor

 8.1. Size:651K  fairchild semi
 fqa65n06.pdf pdf_icon

FQA65N20

May 2001TMQFETFQA65N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 72A, 60V, RDS(on) = 0.016 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 48 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 100 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: RU70E4D | FTK50N06 | ZVN3320FTA | FQPF11P06 | IRLR210A | IPS65R1K5CE

 

 
Back to Top

 


 
.