Справочник MOSFET. FQA65N20

 

FQA65N20 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: FQA65N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 310 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 200 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 65 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA65N20

 

 

FQA65N20 Datasheet (PDF)

1.1. fqa65n20.pdf Size:663K _fairchild_semi

FQA65N20
FQA65N20

August 2001 TM QFET FQA65N20 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 65A, 200V, RDS(on) = 0.032? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 170 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 90 pF) This advanced technology has been especially tailored to Fast

Другие MOSFET... FQA32N20C , SDF05N50 , FQA36P15 , FQA40N25 , FQA44N30 , FQA46N15 , FQA55N25 , FQA62N25C , IRF9640 , SDF05N40T , FQA6N90C_F109 , FQA70N10 , SDF04N65 , FQA70N15 , FQA7N80C_F109 , SDF04N60 , FQA8N100C .

Back to Top

 


FQA65N20
  FQA65N20
  FQA65N20
 

social 

Список транзисторов

Обновления

MOSFET: MTBA6C15Q8 | MTBA6C15J4 | MTBA6C12Q8 | MTBA5C10V8 | MTB75N05HDT4 | MTB6D0N03BH8 | MTB60P15H8 | MTB5D0P03Q8 | MTB5D0P03J3 | MTB50P03HDLT4G | MTB50P03HDLT4 | MTB50P03HDLG | MTB3D0N03BH8 | MTB30P06VT4G | MTB30P06VT4 |
 


 

 

Back to Top