FQA9P25 Todos los transistores

 

FQA9P25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQA9P25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.62 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FQA9P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  fairchild semi
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FQA9P25

May 2000TMQFETFQA9P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -10.5A, -250V, RDS(on) = 0.62 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especially tailore

 ..2. Size:715K  onsemi
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FQA9P25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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History: FDS6912 | VN0550

 

 
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