Справочник MOSFET. FQA9P25

 

FQA9P25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQA9P25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm
   Тип корпуса: TO3PN
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA9P25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  fairchild semi
 fqa9p25.pdf pdf_icon

FQA9P25

May 2000TMQFETFQA9P25250V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -10.5A, -250V, RDS(on) = 0.62 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF)This advanced technology has been especially tailore

 ..2. Size:715K  onsemi
 fqa9p25.pdf pdf_icon

FQA9P25

Is Now Part ofTo learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.comPlease note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductors system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... SDF04N60 , FQA8N100C , FQA8N90CF109 , FQA90N08 , FQA90N15 , FQA90N15F109 , FQA9N90F109 , FQA9N90CF109 , 2SK3918 , FQAF11N90C , FQAF13N80 , SDD06N70 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , SDD05N70 .

History: HY3410MF

 

 
Back to Top

 


 
.