FQA9P25 - описание и поиск аналогов

 

FQA9P25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQA9P25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.62 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FQA9P25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQA9P25 даташит

 ..1. Size:236K  fairchild semi
 fqa9p25.pdf pdf_icon

FQA9P25

May 2000 TM QFET FQA9P25 250V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -10.5A, -250V, RDS(on) = 0.62 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 27 pF) This advanced technology has been especially tailore

 ..2. Size:715K  onsemi
 fqa9p25.pdf pdf_icon

FQA9P25

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Другие MOSFET... SDF04N60 , FQA8N100C , FQA8N90CF109 , FQA90N08 , FQA90N15 , FQA90N15F109 , FQA9N90F109 , FQA9N90CF109 , IRFZ46N , FQAF11N90C , FQAF13N80 , SDD06N70 , FQAF16N50 , FQB11P06 , FQB12P20 , FQB19N20 , SDD05N70 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.