NCEA02P20K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCEA02P20K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 122 nC
   Tiempo de subida (tr): 80 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 82 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEA02P20K

NCEA02P20K Datasheet (PDF)

..1. Size:742K ncepower
ncea02p20k.pdf

http://www.ncepower.comNCEA02P20KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA02P20K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram V =-200V,I =-20ADS DR

9.1. Size:962K ncepower
ncea01p13k.pdf

NCEA01P13Khttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA01P13K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.General FeaturesSchematic diagram V =-100V,I =-13ADS DR

9.2. Size:759K ncepower
ncea0130ag.pdf

http://www.ncepower.comNCEA0130AGNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Primary)General Features V = 100V,I =36ADescription DS DThe NCEA0130AG uses advanced trench technology and R

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: