NCEA02P20K - аналоги и даташиты транзистора

 

NCEA02P20K - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NCEA02P20K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для NCEA02P20K

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA02P20K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:742K  ncepower
 ncea02p20k.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

http://www.ncepower.comNCEA02P20KNCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA02P20K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General FeaturesSchematic diagram V =-200V,I =-20ADS DR

 9.1. Size:962K  ncepower
 ncea01p13k.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

NCEA01P13Khttp://www.ncepower.comNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA01P13K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.General FeaturesSchematic diagram V =-100V,I =-13ADS DR

 9.2. Size:759K  ncepower
 ncea0130ag.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

http://www.ncepower.comNCEA0130AGNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Primary)General Features V = 100V,I =36ADescription DS DThe NCEA0130AG uses advanced trench technology and R

Другие MOSFET... NCE82H160D , NCE85H21TC , NCE85H25 , NCE85H25T , NCE8736 , NCE9435A , NCEA0130AG , NCEA01P13K , IRFB3607 , NCEA15P30K , NCEA2301 , NCEA4080K , NCEA40P25G , NCEA6042AG , NCEA6050KA , NCEA6058K , NCEA6080K .

History: IXTT20N50D

 

 
Back to Top

 


 
.