NCEA02P20K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA02P20K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 82 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCEA02P20K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA02P20K даташит

 ..1. Size:742K  ncepower
 ncea02p20k.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

http //www.ncepower.com NCEA02P20K NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA02P20K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features Schematic diagram V =-200V,I =-20A DS D R

 9.1. Size:962K  ncepower
 ncea01p13k.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

NCEA01P13K http //www.ncepower.com NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA01P13K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features Schematic diagram V =-100V,I =-13A DS D R

 9.2. Size:759K  ncepower
 ncea0130ag.pdf pdf_icon

NCEA02P20K

http //www.ncepower.com NCEA0130AG NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET (Primary) General Features V = 100V,I =36A Description DS D The NCEA0130AG uses advanced trench technology and R

Другие IGBT... NCE82H160D, NCE85H21TC, NCE85H25, NCE85H25T, NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, K4145, NCEA15P30K, NCEA2301, NCEA4080K, NCEA40P25G, NCEA6042AG, NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K