NCEA15P30K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCEA15P30K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 124 nC
Tiempo de subida (tr): 80 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 117 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEA15P30K
NCEA15P30K Datasheet (PDF)
..1. Size:726K ncepower
ncea15p30k.pdf
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http://www.ncepower.com NCEA15P30KNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA15P30K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.General Features V =-150V,I =-30ADS DSchematic diagramR
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
