NCEA15P30K Todos los transistores

 

NCEA15P30K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA15P30K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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NCEA15P30K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:726K  ncepower
 ncea15p30k.pdf pdf_icon

NCEA15P30K

http://www.ncepower.com NCEA15P30KNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA15P30K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications. It is ESD protested.General Features V =-150V,I =-30ADS DSchematic diagramR

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History: N0601N | CS4N65A3HD | HY150N075T | DAMH160N200 | MSK7804 | BSC320N20NS3G | IPAN80R450P7

 

 
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