NCEA15P30K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA15P30K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 117 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO252

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NCEA15P30K datasheet

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NCEA15P30K

http //www.ncepower.com NCEA15P30K NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA15P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features V =-150V,I =-30A DS D Schematic diagram R

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