NCEA15P30K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA15P30K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 117 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCEA15P30K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA15P30K даташит

 ..1. Size:726K  ncepower
 ncea15p30k.pdf pdf_icon

NCEA15P30K

http //www.ncepower.com NCEA15P30K NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA15P30K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. It is ESD protested. General Features V =-150V,I =-30A DS D Schematic diagram R

Другие IGBT... NCE85H21TC, NCE85H25, NCE85H25T, NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, NCEA02P20K, 13N50, NCEA2301, NCEA4080K, NCEA40P25G, NCEA6042AG, NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K, NCEA60ND08S