NCEA40P25G Todos los transistores

 

NCEA40P25G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA40P25G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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NCEA40P25G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  ncepower
 ncea40p25g.pdf pdf_icon

NCEA40P25G

http://www.ncepower.comNCEA40P25GNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited)DS DDescriptionR =11.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSThe NCEA40P25G uses uses advanced trench technology toR =18.5m (typical) @ V =4.5VDS(ON) GSprovide excellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON) High densi

 8.1. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf pdf_icon

NCEA40P25G

http://www.ncepower.com NCEA4080KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA4080K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =80ADS DR

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History: VBZA4805 | SVF12N60K | TK30E06N1

 

 
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