NCEA40P25G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA40P25G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 370 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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NCEA40P25G datasheet

 ..1. Size:356K  ncepower
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NCEA40P25G

http //www.ncepower.com NCEA40P25G NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited) DS D Description R =11.5m (typical) @ V =10V DS(ON) GS The NCEA40P25G uses uses advanced trench technology to R =18.5m (typical) @ V =4.5V DS(ON) GS provide excellent R , This device is suitable for use as a load DS(ON) High densi

 8.1. Size:932K  ncepower
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NCEA40P25G

http //www.ncepower.com NCEA4080K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =80A DS D R

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