Справочник MOSFET. NCEA40P25G

 

NCEA40P25G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NCEA40P25G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6-8L

 Аналог (замена) для NCEA40P25G

 

 

NCEA40P25G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:356K  ncepower
 ncea40p25g.pdf

NCEA40P25G NCEA40P25G

http://www.ncepower.comNCEA40P25GNCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited)DS DDescriptionR =11.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSThe NCEA40P25G uses uses advanced trench technology toR =18.5m (typical) @ V =4.5VDS(ON) GSprovide excellent R , This device is suitable for use as a loadDS(ON) High densi

 8.1. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf

NCEA40P25G NCEA40P25G

http://www.ncepower.com NCEA4080KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA4080K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. It canDS(ON)be used in a wide variety of applications.General Features V =40V,I =80ADS DR

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top