NCEA40P25G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA40P25G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

Аналог (замена) для NCEA40P25G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA40P25G даташит

 ..1. Size:356K  ncepower
 ncea40p25g.pdf pdf_icon

NCEA40P25G

http //www.ncepower.com NCEA40P25G NCE Automotive P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =-40V,I =-35A (Silicon Limited) DS D Description R =11.5m (typical) @ V =10V DS(ON) GS The NCEA40P25G uses uses advanced trench technology to R =18.5m (typical) @ V =4.5V DS(ON) GS provide excellent R , This device is suitable for use as a load DS(ON) High densi

 8.1. Size:932K  ncepower
 ncea4080k.pdf pdf_icon

NCEA40P25G

http //www.ncepower.com NCEA4080K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA4080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It can DS(ON) be used in a wide variety of applications. General Features V =40V,I =80A DS D R

Другие IGBT... NCE8736, NCE9435A, NCEA0130AG, NCEA01P13K, NCEA02P20K, NCEA15P30K, NCEA2301, NCEA4080K, 5N65, NCEA6042AG, NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K, NCEA60ND08S, NCEA60ND18G, NCEA60P82AK, NCEA65NF036T