NCEA6080K MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

NCEA6080K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA6080K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 290 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0079 Ohm

Encapsulados: TO252

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NCEA6080K datasheet

..1. Size:929K ncepower
ncea6080k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features V =60V,I =80A DS D R

8.1. Size:900K ncepower
ncea6058k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

8.2. Size:811K ncepower
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NCEA60ND08S http //www.ncepower.com NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V = 60V,I =8A DS D Description R

8.3. Size:1045K ncepower
ncea6050ka.pdf pdf_icon

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