NCEA6080K - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

NCEA6080K. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA6080K

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0079 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для NCEA6080K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

NCEA6080K даташит

..1. Size:929K ncepower
ncea6080k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6080K NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6080K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. Schematic diagram General Features V =60V,I =80A DS D R

8.1. Size:900K ncepower
ncea6058k.pdf pdf_icon

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

8.2. Size:811K ncepower
ncea60nd08s.pdf pdf_icon