NCEA60ND18G Todos los transistores

 

NCEA60ND18G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEA60ND18G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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NCEA60ND18G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  ncepower
 ncea60nd18g.pdf pdf_icon

NCEA60ND18G

NCEA60ND18Ghttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V =60V,I =20ADS DDescriptionR

 6.1. Size:811K  ncepower
 ncea60nd08s.pdf pdf_icon

NCEA60ND18G

NCEA60ND08Shttp://www.ncepower.comNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 60V,I =8ADS DDescriptionR

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 ncea6058k.pdf pdf_icon

NCEA60ND18G

http://www.ncepower.comNCEA6058KNCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6058K uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =64ADS DR

 8.2. Size:1045K  ncepower
 ncea6050ka.pdf pdf_icon

NCEA60ND18G

http://www.ncepower.comNCEA6050KANCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEA6050KA uses advanced trench technology anddesign to provide excellent R with low gate charge. ItDS(ON)can be used in a wide variety of applications.General Features V =60V,I =50A Schematic diagramDS DR

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History: 2SK2883B | SL1002B | KF2N60D | CHM2307GP | BRCS2303MA | CZDM1003N | SSF2N60D

 

 
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