NCEA60ND18G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NCEA60ND18G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: DFN5X6-8L

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NCEA60ND18G datasheet

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NCEA60ND18G

NCEA60ND18G http //www.ncepower.com NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V =60V,I =20A DS D Description R

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NCEA60ND18G

NCEA60ND08S http //www.ncepower.com NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V = 60V,I =8A DS D Description R

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NCEA60ND18G

http //www.ncepower.com NCEA6058K NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEA6058K uses advanced trench technology and design to provide excellent R with low gate charge. It DS(ON) can be used in a wide variety of applications. General Features V =60V,I =64A DS D R

 8.2. Size:1045K  ncepower
 ncea6050ka.pdf pdf_icon

NCEA60ND18G

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