NCEA85H25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NCEA85H25
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 425 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 250 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 863 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de NCEA85H25 MOSFET
NCEA85H25 Datasheet (PDF)
ncea85h25.pdf

http://www.ncepower.comNCEA85H25NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 85V,I =250ADescription DS DThe NCEA85H25 uses advanced trench technology and R
Otros transistores... NCEA6050KA , NCEA6058K , NCEA6080K , NCEA60ND08S , NCEA60ND18G , NCEA60P82AK , NCEA65NF036T , NCEA65NF036T4 , IRFZ24N , NCEAP0135AK , NCEAP016N10LL , NCEAP016N60VD , NCEAP016N85LL , NCEAP0178AK , NCEAP018N60AGU , NCEAP018N60GU , NCEAP018N85LL .
History: LNH4N60 | IXTM4N50A | AP8604CDT | CHM9936AJGP | IPA65R225C7 | AM2342 | LND20N60
History: LNH4N60 | IXTM4N50A | AP8604CDT | CHM9936AJGP | IPA65R225C7 | AM2342 | LND20N60



Liste
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