NCEA85H25 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCEA85H25
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 425 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 85 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 250 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 296 nC
   Tiempo de subida (tr): 100 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 863 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEA85H25

NCEA85H25 Datasheet (PDF)

..1. Size:713K ncepower
ncea85h25.pdf

http://www.ncepower.comNCEA85H25NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 85V,I =250ADescription DS DThe NCEA85H25 uses advanced trench technology and R

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: