NCEA85H25 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NCEA85H25
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 425 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 85 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 250 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 296 nC
Время нарастания (tr): 100 ns
Выходная емкость (Cd): 863 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220
NCEA85H25 Datasheet (PDF)
..1. Size:713K ncepower
ncea85h25.pdf
ncea85h25.pdf
http://www.ncepower.comNCEA85H25NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 85V,I =250ADescription DS DThe NCEA85H25 uses advanced trench technology and R
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
