Справочник MOSFET. NCEA85H25

 

NCEA85H25 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCEA85H25
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 425 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 863 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для NCEA85H25

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA85H25 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:713K  ncepower
 ncea85h25.pdf pdf_icon

NCEA85H25

http://www.ncepower.comNCEA85H25NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETGeneral Features V = 85V,I =250ADescription DS DThe NCEA85H25 uses advanced trench technology and R

Другие MOSFET... NCEA6050KA , NCEA6058K , NCEA6080K , NCEA60ND08S , NCEA60ND18G , NCEA60P82AK , NCEA65NF036T , NCEA65NF036T4 , IRFZ24N , NCEAP0135AK , NCEAP016N10LL , NCEAP016N60VD , NCEAP016N85LL , NCEAP0178AK , NCEAP018N60AGU , NCEAP018N60GU , NCEAP018N85LL .

History: SSM5N16FE | AOI600A60 | FDMA86108LZ | NCE60N1K0R | IPB60R160C6 | 5N65G-TN3-R

 

 
Back to Top

 


 
.