NCEA85H25. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEA85H25

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 425 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 863 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для NCEA85H25

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEA85H25 даташит

 ..1. Size:713K  ncepower
 ncea85h25.pdf pdf_icon

NCEA85H25

http //www.ncepower.com NCEA85H25 NCE Automotive N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET General Features V = 85V,I =250A Description DS D The NCEA85H25 uses advanced trench technology and R

Другие IGBT... NCEA6050KA, NCEA6058K, NCEA6080K, NCEA60ND08S, NCEA60ND18G, NCEA60P82AK, NCEA65NF036T, NCEA65NF036T4, TK10A60D, NCEAP0135AK, NCEAP016N10LL, NCEAP016N60VD, NCEAP016N85LL, NCEAP0178AK, NCEAP018N60AGU, NCEAP018N60GU, NCEAP018N85LL