FQB25N33TMF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQB25N33TMF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQB25N33TMF085

FQB25N33TMF085 Datasheet (PDF)

4.1. Size:1009K fairchild semi
fqb25n33tm.pdf

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Liste

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