FQB25N33TMF085 Todos los transistores

 

FQB25N33TMF085 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQB25N33TMF085
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 330 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 58 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263 D2PAK
 

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FQB25N33TMF085 Datasheet (PDF)

 4.1. Size:1009K  fairchild semi
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FQB25N33TMF085

September 2006 QFETFQB25N33330V N-Channel MOSFETFeatures General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichilds proprietary, Low gate charge (typical 58nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF)This advanced technology has been especially tailor

 4.2. Size:1209K  fairchild semi
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FQB25N33TMF085

April 2010tmFQB25N33TM_F085330V N-Channel MOSFETFeatures General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichilds proprietary, Low gate charge (typical 58nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF)This advanced technology has been especially tailored t

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History: STK600

 

 
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