FQB25N33TMF085 Todos los transistores

 

FQB25N33TMF085 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQB25N33TMF085

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 330 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.23 Ohm

Encapsulados: TO263 D2PAK

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FQB25N33TMF085 datasheet

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FQB25N33TMF085

September 2006 QFET FQB25N33 330V N-Channel MOSFET Features General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichild s proprietary, Low gate charge (typical 58nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF) This advanced technology has been especially tailor

 4.2. Size:1209K  fairchild semi
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FQB25N33TMF085

April 2010 tm FQB25N33TM_F085 330V N-Channel MOSFET Features General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichild s proprietary, Low gate charge (typical 58nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF) This advanced technology has been especially tailored t

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