FQB25N33TMF085 - описание и поиск аналогов

 

FQB25N33TMF085. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQB25N33TMF085

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 330 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.23 Ohm

Тип корпуса: TO263 D2PAK

Аналог (замена) для FQB25N33TMF085

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQB25N33TMF085 даташит

 4.1. Size:1009K  fairchild semi
 fqb25n33tm.pdf pdf_icon

FQB25N33TMF085

September 2006 QFET FQB25N33 330V N-Channel MOSFET Features General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichild s proprietary, Low gate charge (typical 58nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF) This advanced technology has been especially tailor

 4.2. Size:1209K  fairchild semi
 fqb25n33tm f085.pdf pdf_icon

FQB25N33TMF085

April 2010 tm FQB25N33TM_F085 330V N-Channel MOSFET Features General Description 25A, 330V, RDS(on) = 0.23 @VGS = 10V These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Farichild s proprietary, Low gate charge (typical 58nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss (typical 40pF) This advanced technology has been especially tailored t

Другие MOSFET... SDD05N70 , FQB19N20C , SDD05N04 , FQB19N20L , SDD04N65 , FQB1P50 , FQB22P10 , FQB22P10TMF085 , IRFZ44N , FQB27P06 , FQB30N06L , FQB33N10 , SDD04N60 , FQB33N10L , SDD03N70 , FQB34N20 , SDD03N50 .

History: SML4065BN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.