NCEB301Q Todos los transistores

 

NCEB301Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NCEB301Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

NCEB301Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  ncepower
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NCEB301Q

http://www.ncepower.com NCEB301Q30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEB301Q is designed to provide a high efficiencysynchronous buck power stage with optimal layout andboard space utilization. It includes two specialized MOSFETsin a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side"MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Dia

 7.1. Size:474K  ncepower
 nceb301g.pdf pdf_icon

NCEB301Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEB301G30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEB301G is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching lo

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History: SDF320JAA | STP8NS25FP | AP4407GS-HF | KP746B1 | TMPF11N50SG | IPW65R280E6 | EMB20N03V

 

 
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