Справочник MOSFET. NCEB301Q

 

NCEB301Q Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NCEB301Q
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для NCEB301Q

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEB301Q Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  ncepower
 nceb301q.pdf pdf_icon

NCEB301Q

http://www.ncepower.com NCEB301Q30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETDescriptionThe NCEB301Q is designed to provide a high efficiencysynchronous buck power stage with optimal layout andboard space utilization. It includes two specialized MOSFETsin a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side"MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Dia

 7.1. Size:474K  ncepower
 nceb301g.pdf pdf_icon

NCEB301Q

Pb Free Producthttp://www.ncepower.com NCEB301G30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEB301G is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching lo

Другие MOSFET... NCEAP6090AGU , NCEAP60ND30AG , NCEAP60ND60G , NCEAP60T12AD , NCEAP60T12AK , NCEAP60T15G , NCEAP60T20D , NCEB301G , 7N65 , NCEP008N30GU , NCEP008NH40AGU , NCEP008NH40GU , NCEP0107AR , NCEP0107R , NCEP0109AR , NCEP0116AS , NCEP011N25QU .

History: AOT20N25 | RJK0629JPE | HY3208P

 

 
Back to Top

 


 
.