NCEB301Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NCEB301Q

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 18 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 105 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для NCEB301Q

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NCEB301Q даташит

 ..1. Size:814K  ncepower
 nceb301q.pdf pdf_icon

NCEB301Q

http //www.ncepower.com NCEB301Q 30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEB301Q is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN3X3 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching losses. The Schematic Dia

 7.1. Size:474K  ncepower
 nceb301g.pdf pdf_icon

NCEB301Q

Pb Free Product http //www.ncepower.com NCEB301G 30V Half Bridge Dual N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCEB301G is designed to provide a high efficiency synchronous buck power stage with optimal layout and board space utilization. It includes two specialized MOSFETs in a dual Power DFN5x6 package. The Q1 "High Side" MOSFET is desgined to minimze switching lo

Другие IGBT... NCEAP6090AGU, NCEAP60ND30AG, NCEAP60ND60G, NCEAP60T12AD, NCEAP60T12AK, NCEAP60T15G, NCEAP60T20D, NCEB301G, IRF630, NCEP008N30GU, NCEP008NH40AGU, NCEP008NH40GU, NCEP0107AR, NCEP0107R, NCEP0109AR, NCEP0116AS, NCEP011N25QU