NCEP1570GU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: NCEP1570GU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 35 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET NCEP1570GU

NCEP1570GU Datasheet (PDF)

..1. Size:987K ncepower
ncep1570gu.pdf

http://www.ncepower.com NCEP1570GUNCE N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionGeneral FeaturesThe NCEP1570GU uses Super Trench technology that isV =150V,I =70ADS Duniquely optimized to provide the most efficient highR =13.5m (typical) @ V =10VDS(ON) GSfrequency switching performance. Both conduction andExcellent gate charge x R product(FOM)DS(on)switching

6.1. Size:316K ncepower
ncep1570 ncep1570d.pdf

http://www.ncepower.com NCEP1570,NCEP1570DNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The series of devices uses Super Trench technology that is VDS =150V,ID =70A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=13.5m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and Excellent gate charge x RDS(on) product(

6.2. Size:316K ncepower
ncep1570d.pdf